Sputtering Beschichtung Wann héich-Energiepartikelen déi zolidd Uewerfläch bombardéieren, kënnen d'Partikelen op der fester Uewerfläch Energie gewannen an d'Uewerfläch flüchten fir op de Substrat ze deposéieren.Sputtering Phänomen ugefaang an der Beschichtungstechnologie am Joer 1870 benotzt ze ginn, a lues a lues an der industrieller Produktioun no 1930 benotzt wéinst der Erhéijung vun der Oflagerungsquote.Déi allgemeng benotzt zwee-Pol Sputtering Ausrüstung ass an der Figur 3 gewisen [Schemadiagramm vun zwee Vakuumbeschichtungspol Sputtering].Normalerweis gëtt d'Material, dat deposéiert gëtt, an eng Plack gemaach - en Zil, deen op der Kathode fixéiert ass.De Substrat gëtt op d'Anode plazéiert, déi op d'Zielfläche viséiert ass, e puer Zentimeter ewech vum Zil.Nodeems de System op en héije Vakuum gepompelt ass, gëtt et mat 10 ~ 1 Pa Gas (normalerweis Argon) gefüllt, an eng Spannung vun e puer dausend Volt gëtt tëscht der Kathode an der Anode applizéiert, an e Glühfluch gëtt tëscht den zwou Elektroden generéiert. .Déi positiv Ionen, déi vun der Entladung generéiert ginn, fléien an d'Kathode ënner der Handlung vun engem elektresche Feld a kollidéieren mat den Atomer op der Zilfläch.D'Zilatomer, déi aus der Zilfläch flüchten wéinst der Kollisioun, ginn Sputteratome genannt, an hir Energie ass am Beräich vun 1 bis Zénger vun Elektronen Volt.Déi gesputtert Atomer ginn op der Uewerfläch vum Substrat deposéiert fir e Film ze bilden.Am Géigesaz zu der Verdampfungsbeschichtung ass d'Sputterbeschichtung net vum Schmelzpunkt vum Filmmaterial limitéiert, a kann refractaire Substanzen wéi W, Ta, C, Mo, WC, TiC, asw. Method, dat ass, de reaktive Gas (O, N, HS, CH, etc.) ass
op d'Ar Gas bäigefüügt, an de reaktive Gas a seng Ionen reagéiere mam Zilatom oder dem sputtered Atom fir eng Verbindung ze bilden (wéi Oxid, Stickstoff) Verbindungen, etc.) an op de Substrat deposéiert.Eng Héichfrequenz Sputtermethod kann benotzt ginn fir den Isoléierfilm ze deposéieren.De Substrat ass op der gegrënnter Elektrode montéiert, an d'Isoléierziel ass op der entgéintgesater Elektrode montéiert.Een Enn vun der Héichfrequenz-Energieversuergung ass Buedem, an een Enn ass mat enger Elektrode verbonne mat engem isoléierende Zil duerch e passende Netzwierk an en DC-Blockkondensator.Nom Schalten vun der Héichfrequenz Energieversuergung ännert d'Héichfrequenzspannung kontinuéierlech seng Polaritéit.D'Elektronen a positiv Ionen am Plasma schloen d'Isoléierziel während dem positiven Hallefzyklus respektiv dem negativen Hallefzyklus vun der Spannung.Well d'Elektronmobilitéit méi héich ass wéi déi vun de positiven Ionen, ass d'Uewerfläch vum isoléierende Zil negativ gelueden.Wann dat dynamescht Gläichgewiicht erreecht gëtt, ass d'Zil bei engem negativen Biaspotenzial, sou datt déi positiv Ionen, déi um Zil sputteren, weidergoen.D'Benotzung vu Magnetron-Sputtering kann den Oflagerungsquote ëm bal eng Uerdnung vun der Gréisst erhéijen am Verglach mat Net-Magnetron-Sputtering.
Post Zäit: Jul-31-2021