Verdampfungsbeschichtung: Duerch d'Heizung an d'Verdampfung vun enger bestëmmter Substanz fir se op déi zolidd Uewerfläch ze deposéieren, gëtt et Verdampungsbeschichtung genannt.Dës Method war éischt vum M. Faraday proposéiert an 1857, an et ass ee vun de ginn
allgemeng benotzt Beschichtungstechniken an modernen Zäiten.D'Struktur vun der Verdampfungsbeschichtungsausrüstung gëtt an der Figur 1 gewisen.
Verdampte Substanzen wéi Metaller, Verbindungen, asw. ginn an enger Krëpp geluecht oder op engem waarmen Drot als Verdampungsquell hänke gelooss, an d'Werkstéck, déi gepflanzt gëtt, wéi Metall, Keramik, Plastik an aner Substrater, gëtt virun der Krëpp.Nodeems de System zu engem héije Vakuum evakuéiert ass, gëtt d'Kraaft erhëtzt fir den Inhalt ze verdampen.D'Atomer oder Molekülle vun der verdampter Substanz ginn op der Uewerfläch vum Substrat op eng kondenséiert Manéier deposéiert.D'Dicke vum Film ka vun Honnerte vun Angstrom bis e puer Mikron variéieren.D'Dicke vum Film gëtt duerch d'Verdampungsquote an d'Zäit vun der Verdampfungsquell (oder dem Belaaschtungsbetrag) festgeluegt an ass mat der Distanz tëscht der Quell an dem Substrat verbonnen.Fir grouss Flächbeschichtungen ginn e rotéierende Substrat oder verschidde Verdampungsquellen dacks benotzt fir d'Uniformitéit vun der Filmdicke ze garantéieren.D'Distanz vun der Verdampfungsquell zum Substrat soll manner sinn wéi de mëttlere fräie Wee vun Dampmolekülen am Reschtgas, fir datt d'Kollisioun vu Dampmoleküle mat Reschtgasmoleküle chemesch Effekter verursaacht.Déi duerchschnëttlech kinetesch Energie vun Dampmoleküle ass ongeféier 0,1 bis 0,2 Elektronenvolt.
Et ginn dräi Zorte vu Verdampfungsquellen.
① Resistenzheizungsquell: Benotzt refractaire Metaller wéi Wolfram an Tantal fir Bootsfolie oder Filament ze maachen, a gëlle elektresche Stroum fir d'verdampte Substanz driwwer oder an der Crèche z'erhëtzen (Figure 1 [Schemadiagramm vun der Verdampfungsbeschichtung Ausrüstung] Vakuumbeschichtung) Resistenzheizung Quell gëtt haaptsächlech benotzt fir Materialien wéi Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni ze verdampen;
②High-Frequenz Induktioun Heizungsquell: benotzt Héichfrequenz Induktiounsstroum fir d'Kräiz an d'Verdampfungsmaterial z'erhëtzen;
③Elektronenstrahl Heizquelle: applicabel Fir Materialer mat méi héijer Verdampfungstemperatur (net manner wéi 2000 [618-1]), gëtt d'Material verdampéiert andeems d'Material mat Elektronenstrahlen bombardéiert.
Am Verglach mat anere Vakuumbeschichtungsmethoden huet d'Verdampfungsbeschichtung e méi héijen Oflagerungsquote, a kann mat elementareschen an net-thermesch ofgebaute Verbindungsfilmer beschichtet ginn.
Fir en héich-Rengheet Eenkristallfilm ze deposéieren, kann molekulare Strahlepitaxie benotzt ginn.De molekulare Strahlepitaxie-Apparat fir dotéiert GaAlAs Eenkristallschicht ze wuessen ass an der Figur 2 [Schemadiagramm vun der Molekularstrahl-Epitaxie-Apparat Vakuumbeschichtung] gewisen.De Jetofen ass mat enger molekulare Strahlquell ausgestatt.Wann et op eng gewëssen Temperatur ënner ultra-héich Vakuum erhëtzt gëtt, ginn d'Elementer am Schmelzhäre an de Substrat an engem straleähnlechen molekulare Stroum erausgehäit.De Substrat gëtt op eng gewëssen Temperatur erhëtzt, d'Moleküle, déi um Substrat deposéiert sinn, kënne migréieren, an d'Kristalle ginn an der Uerdnung vum Substratkristallgitter ugebaut.Molekulare Strahlepitaxie ka benotzt ginn
kritt eng héich Puritéit Verbindung Eenkristallfilm mat dem erfuerderleche stoichiometresche Verhältnis.De Film wächst am luessten D'Geschwindegkeet kann op 1 eenzeg Schicht / sec kontrolléiert ginn.Duerch d'Kontroll vun der Baffle kann den Eenkristallfilm mat der erfuerderter Zesummesetzung a Struktur präzis gemaach ginn.Molekulare Strahlepitaxie gëtt wäit benotzt fir verschidden optesch integréiert Geräter a verschidde Supergitterstrukturfilmer ze fabrizéieren.
Post Zäit: Jul-31-2021